Обычно информация на выходе ПЗУ не требуется постоянно. Она должна быть предоставлена только по специальному запросу. Этот запрос формируется посредством сигнала чтения RD. Название этого сигнала расшифровывается как read (читать). Сигнал RD можно завести на внутренний дешифратор мультиплексора, как это показано на рис. 3.1. То есть содержимое ячейки памяти появится на выходе ПЗУ только при активном сигнале чтения RD. При всех других условиях выход микросхемы будет оставаться в высокоомном состоянии.
При построении устройств памяти обычно требуется иметь возможность расширения объема памяти. Это выполняется с помощью дополнительной микросхемы и дополнительной линии адресной шины. Кроме того, добавляется дешифратор адреса. Его нужно таким образом подключить к микросхемам памяти, чтобы он запрещал работу одной из микросхем памяти или разрешал работу другой в зависимости от адреса читаемой ячейки. Для подключения дополнительного дешифратора адреса служит еще один вход выбора кристалла CS (
На схемах ПЗУ обозначается, как показано на рис. 3.2. На нем приведено условное графическое обозначение, соответствующее схеме рис. 3.1. Надпись «ROM» в среднем поле является сокращением от английских слов
Рис. 3.2.
Для того чтобы увеличить разрядность ячейки памяти ПЗУ, одноразрядные микросхемы можно объединять. При этом параллельно соединяются одноименные адресные входы и входы сигналов управления RD и CS, a информационные выходы остаются независимыми. Схема объединения одноразрядных ПЗУ для реализации многоразрядного запоминающего устройства с восемью 4-разрядными ячейками приведена на рис. 3.3, а условное графическое обозначение 8-разрядного ПЗУ с 1024 ячейками памяти — на рис. 3.4.
Рис. 3.3.
Как видно из приведенной схемы, адресные входы схемы объединяются параллельно. При этом возрастает общий входной ток микросхем памяти, протекающий по каждой линии адресной шины. Чтобы в результате не увеличивался входной ток запоминающего устройства, на адресных входах предусматривают усилители сигнала. В этом качестве можно использовать самые обыкновенные инверторы, как это показано на рис. 3.3. Точно с такой же целью поставлены инверторы и на управляющих входах чтения RD и выбора кристалла CS. При этом активными становятся низкие уровни этих сигналов.
Масочные ПЗУ изображаются на схемах как показано на рис. 3.4. Активность низких уровней сигналов CS и RD обозначена кружками возле соответствующих управляющих входов.
Рис. 3.4.
Запись информации в ПЗУ (микросхему, доступную только для чтения) производится при помощи последней операции изготовления микросхемы — металлизации. Она выполняется при помощи маски, поэтому такие микросхемы получили название масочных запоминающих устройств. Еще одно отличие реальных микросхем от упрощенной модели, приведенной выше, — это использование для дешифрации адреса кроме мультиплексора, еще и дешифратора. Такое решение позволяет превратить одномерную запоминающую структуру в двухмерную и тем самым существенно сократить объем схемы внутреннего дешифратора адреса. Реализация ПЗУ с двухмерной структурой запоминающих элементов показана на рис. 3.5.
Рис. 3.5.
Рассмотрим подробнее работу этого ПЗУ. В отличие от схемы, приведенной на рис. 3.1, в данном случае не используется непосредственное соединение входов мультиплексора с общим проводом. Вместо этого подключение производится через резистор. В результате, если с выхода дешифратора не будет подан единичный уровень, то на входе мультиплексора будет присутствовать уровень логического нуля. Запись логической единицы в ячейку ПЗУ производится соединением линий выхода дешифратора и входа мультиплексора в точке их пересечения. Если же в ячейку необходимо записать логический ноль, то соединение цепей не производится. Именно такая запоминающая структура получила название «матрица».