Занимательно о микроконтроллерах

В описанной ячейке при полностью стертом ПЗУ заряда в плавающем затворе нет, и поэтому транзистор ток не проводит. При программировании микросхемы на программирующий электрод, находящийся над плавающим затвором, подается высокое напряжение и в последнем за счет туннельного эффекта индуцируются заряды. После снятия программирующего напряжения на плавающем затворе индуцированный заряд сохраняется и, следовательно, транзистор остается в проводящем состоянии. Заряд на плавающем затворе может храниться десятки лет.

Структурная схема постоянного запоминающего устройства не отличается от описанного ранее масочного ПЗУ. Единственное отличие — это использование описанной выше ячейки вместо плавкой поликремниевой перемычки. Такой вид ПЗУ в отечественной литературе получил название «репрограммируемые ПЗУ» (РПЗУ).

Стирание ранее записанной информации в репрограммируемых ПЗУ осуществляется ультрафиолетовым излучением. Для того чтобы оно могло беспрепятственно воздействовать на полупроводниковый кристалл, в корпус микросхемы РПЗУ встраивается окошко из кварцевого стекла. При облучении микросхемы изолирующие свойства оксида кремния теряются, накопленный заряд из плавающего затвора стекает в объем полупроводника, и транзистор запоминающей ячейки переходит в закрытое состояние. Время стирания микросхемы колеблется в пределах 10–30 минут.

Количество циклов записи-стирания микросхем РПЗУ составляет от 10 до 100 раз, после чего вследствие разрушающего действия ультрафиолетового излучения микросхема выходит из строя. В качестве примера таких микросхем можно назвать микросхемы 573-й серии российского производства, микросхемы серий 27сХХХ зарубежного производства.

В этих микросхемах чаще всего хранятся программы BIOS универсальных компьютеров. Репрограммируемые ПЗУ изображаются на схемах в виде условного графического обозначения, показанного на рис. 3.8.

Рис. 3.8.Условное графическое обозначение репрограммируемого постоянного запоминающего устройства

Надпись «EPROM» в центральной части микросхемы является сокращением от английских слов erasable programmable read-only memory (стираемая программируемая память, доступная только для чтения).

Из-за дороговизны корпуса с кварцевым окошком, а также вследствие такого недостатка, как сравнительно малое количество циклов записи/стирания, начали поиск способов стирания информации из РПЗУ электрическим потенциалом. На этом пути встретилось много трудностей, которые к настоящему времени практически решены. Сейчас достаточно широко распространены микросхемы с электрическим стиранием информации. В них используются такие же запоминающие ячейки, как и в РПЗУ, но они стираются электрическим потенциалом, поэтому количество циклов записи/стирания для этих микросхем достигает 1 млн раз.

Время стирания ячейки памяти в таких микросхемах уменьшается до 10 мс. В настоящее время наметилось два направления развития микросхем РПЗУ:

1. ЭСРПЗУ — электрически стираемые ПЗУ.

2. Флэш-ПЗУ.

Из-за сложности внутренней схемы управления запоминающими элементами электрически стираемые ПЗУ дороже и меньше по объему, но зато позволяют перезаписывать каждую ячейку памяти отдельно. В результате эти микросхемы обладают максимальным количеством циклов записи/стирания. Область применения электрически стираемых ПЗУ — хранение данных, которые не должны разрушаться при выключении питания.

К таким микросхемам относятся отечественные микросхемы 573РРЗ и зарубежные микросхемы серии 28сХХ. Электрически стираемые ПЗУ изображаются на схемах при помощи условного графического обозначения, показанного на рис. 3.9. Надпись «EEPROM» в среднем поле расшифровывается как electrically erasable programmable read-only memory — электрически стираемая программируемая память, доступная только для чтения.

Рис. 3.9.Условное графическое обозначение электрически стираемого постоянного запоминающего устройства

В последнее время наметилась тенденция уменьшения габаритов ЭСРПЗУ за счет сокращения количества внешних выводов микросхем. Для этого адрес и данные передаются в микросхему и из микросхемы в виде последовательного кода. При этом используются два вида последовательных интерфейсов: SPI и I2C (микросхемы серий 93сХХ и 24сХХ соответственно). Зарубежной серии 24сХХ соответствует отечественная серия микросхем 558РРх.

Микросхемы флэш-ПЗУ отличаются от ЭСРПЗУ тем, что производится стирание не каждой ячейки отдельно, а всей запоминающей матрицы, как это делалось в РПЗУ, или ее части (блока). Условное графическое обозначение FLASH-ПЗУ на схемах приведено на рис. 3.10.

Рис. 3.10. Условное графическое обозначение FLASH-памяти