Оптимизация BIOS. Полный справочник по всем параметрам BIOS и их настройкам

7) SDRAM обновляется;

8) процессор отправляет адрес #2 в SDRAM;

9) процессор получает данные #2 из SDRAM;

10) SDRAM обновляется;

11) процессор отправляет адрес #3 в SDRAM;

12) процессор получает данные #3 из SDRAM.

Если чередование было включено, первый банк может начать передачу данных на процессор в цикле, когда второй банк получает адрес. Если чередование выключено, процессор должен отправить адрес в банк памяти, получить запрошенные данные и дождаться обновления банка памяти, прежде чем инициировать вторую операцию. Это ведет к потере циклов и снижает пропускную способность.

Чередование позволяет замаскировать циклы обновления. В результате возникает эффект конвейера, который существенно повышает пропускную способность.

Чередование банков работает только в том случае, если запрашиваемые адреса относятся к разным банкам. Если они находятся в одном банке памяти, операции по передаче данных выполняются без чередования. Процессор должен ждать завершения первой операции и обновления банка памяти, чтобы отправить в этот банк другой адрес.

Каждый модуль SDRAM делится на два или четыре банка памяти. Двойные модули SDRAM используют чипы 16 Мбит SDRAM (объемом 32 Мб или меньше) и имеют только два банка памяти. Модули SDRAM, которые используют чипы памяти 64-256 Мбит, имеют четыре банка памяти. Все модули SDRAM объемом 64 Мб и более имеют четыре банка памяти.

Если вы используете один двойной модуль SDRAM, настройте данную функцию на 2-Bank. Это единственное значение, которое доступно для одного двойного модуля SDRAM.

Если вы используете два и более двойных модуля SDRAM, вы можете использовать как значение 4-Bank, так и значение 2-Bank. Конечно, рекомендуем выбрать настройку 4-Bank, чтобы улучшить производительность при чередовании.

Если вы используете модули SDRAM с четырьмя банками памяти, вы можете использовать как значение 4-Bank, так и значение 2-Bank. Конечно, рекомендуем выбрать настройку 4-Bank, чтобы улучшить производительность при чередовании.

Если вы используете модули SDRAM с четырьмя банками памяти, то можете выбрать любую настройку чередования. Разумеется, рекомендуем остановиться на значении 4-Bank, чтобы улучшить производительность при чередовании.

Так как значение 4-Bank улучшает производительность при чередовании, мы советуем выбирать эту настройку, если ваша система ее поддерживает. Значение 2-Bank следует выбирать только в том случае, если система работает с одним двойным модулем SDRAM.

Обратите внимание: компания Award (сейчас входит в состав компании Phoenix Technologies) рекомендует отключить чередование банков SDRAM при использовании модулей 16 Мбит SDRAM. Причина состоит в том, что ранние модули 16 Мбит SDRAM нестабильно работают с чередованием. Все современные модули SDRAM поддерживают чередование без проблем.

SDRAM Bank-to-Bank Delay (Задержка при передаче данных между банками SDRAM)

Обычные опции: 2 Cycles, 3 Cycles.

Данная опция представляет собой настройку по времени устройства DDR для tRRD. Эта функция BIOS определяет минимальное время между успешными командами ACTIVATE для одного и того же устройства DDR. Чем меньше задержка, тем быстрее может активироваться следующий банк для чтения или записи. Так как активация строки требует большой силы тока, короткая задержка может привести к выбросам тока.

Настройка этого параметра может различаться в зависимости от устройства DDR. Обычно производители DDR RAM указывают параметр tRRD (на основании того, как команды ACTIVATE ограничивают выбросы тока в устройстве). Если вы разрешите BIOS автоматически конфигурировать параметры DRAM, заданное производителем значение tRRD будет считано с чипа SPD (Serial Presence Detect – Распознавание последовательного присутствия). Вы можете настроить этот параметр вручную в соответствии с вашими предпочтениями.

При работе на обычном компьютере рекомендуем использовать задержку в 2 цикла, так как выбросы тока не имеют большого значения. Причина состоит в том, что обычный компьютер не ограничен в питании, и даже мощности обычного вентилятора должно хватить для того, чтобы устранить последствия повышения температуры, вызванного выбросами тока. Повышенная производительность при настройке более короткой задержки заслуживает отдельного внимания. Более короткая задержка приводит к тому, что активация банк-банк занимает на один цикл меньше. Это позволяет улучшить производительность устройства DDR при чтении и записи.

Обратите внимание: короткая задержка (2 цикла) работает с большинством устройств DDR DIMM, даже при частоте 133 МГц (266 МГц DDR). Но устройства DDR DIMM с частотой выше 133 МГц (266 МГц DDR) могут потребовать использования задержки 3 цикла. Если возможно, выбирайте значение 2 Cycles, чтобы обеспечить оптимальную производительность DDR DRAM. Переключайтесь на 3 цикла только в том случае, если у вас возникли проблемы с настройкой на 2 цикла.