Солнечные элементы

Влияние толщины и состава верхних слоев на оптические характеристики и КПД солнечных элементов с широкозонным окном-фильтром из Al_xGa_1-xAs и р-п-переходом в находящемся под ним монокристаллическом арсениде галлия можно проследить, сравнивая результаты работ, проведенных различными исследователями. На рис. 4.10 представлены экспериментальные спектральные зависимости коэффициента собирания носителей заряда солнечного элемента из арсенида галлия обычной конструкции с гомогенным p-n-переходом (кривая 7) и гетероструктурой на поверхности (кривая 2). Солнечный элемент с гетероструктурой имел следующий состав и толщину слоев: p-Ga_0,3Alo_0.7As (8 мкм), p-GaAs (0,7 мкм) и n-GaAs (300 мкм). Такие солнечные элементы позволили получить при измерениях в наземных условиях КПД более 20 %. В то же время в силу сравнительно большой толщины широкозонного окна-фильтра и низкого последовательного сопротивления эти элементы можно эффективно использовать при повышенной плотности потока солнечного излучения. Однако по этой же причине коротковолновый край спектральной чувствительности таких солнечных элементов соответствует 0,51—0,52 мкм (см. рис. 4.10).

Расчетная оптимизация параметров солнечных элементов на основе арсенида галлия с гетеропереходами, проведенная в ряде работ, показала, что, уменьшая толщину верхнего слоя твердого раствора и изменяя его состав (увеличивая содержание алюминия), можно значительно расширить спектральную чувствительность таких элементов в коротковолновую область спектра. Расчетные спектральные зависимости коэффициента собирания солнечных элементов данного типа при разной толщине слоя твердого раствора Al_0.36Ga_0.14As и следующих параметрах элементов: толщина слоев p-GaAs и n-GaAs 1,5 и 250 мкм соответственно, концентрация носителей заряда во всех слоях (1–3)×10¹⁸ см^-3; в верхнем слое твердого раствора диффузионная длина L_n=0,5 мкм, подвижность носителей заряда μ_n= =250 см²∕(B×c); в p-GaAs слое L_n=5 мкм, μ_n= =2500 см²/(B×c); в n-GaAs слое L_p=0,5 мкм, μ_p= =150 см²/(B×c), представлены на рис. 4.11.

Следует отметить, что высокие значения коэффициента собирания данных элементов в длинноволновой области (при λ=0,6÷0,9 мкм) объясняются сравнительно большим значением диффузионной длины носителей в p-GaAs (более чем в три раза превышающей толщину слоя).

Рис. 4.11. Спектральная зависимость коэффициента собирания солнечных элементов структуры p-Al_0.86Ga_0.14AS — p-GaAs (толщиной l = 1,5 мкм) — n-GaAs (l = 250 мкм) при разной толщине верхнего слоя твердого раствора

1–1,0 мкм; 2–0,5; 5–0,25; 4–0,1; 5–0,05 мкм

Рис. 4.12. Зависимости максимального КПД солнечного элемента с р-n-переходом в гомогенном материале от ширины запрещенной зоны полупроводника при различной степени концентрации излучения

1 — 1000; 2 — 100; 3 — 10; 4–1 (однократный солнечный поток)

Рис. 4.13. Энергетические зонные диаграммы и схемы расположения слоев в различных солнечных элементах на основе арсенида галлия а — с переходом в гомогенном материале и широкозонным окном-фильтром на поверхности; б — с варизонной структурой в слое окна-фильтра; в — с переизлучающей структурой между двумя областями окна-фильтра; 1 — p-n-переход в арсениде галлия; 2 — окно-фильтр из твердого раствора алюминия в арсениде галлия; 3 — варизонная структура (переменный по х состав Al_xGa_1-xAs); 4 — переизлучающая структура; А — солнечное излучение; Б — люминесценция