Транзисторы

Обозначения некоторых типов полупроводниковых приборов, выпускаемых после 1964 года

Первый элемент обозначения: буква Г (или цифра 1) — германиевый, буква К (или цифра 2) — кремниевый. Второй элемент обозначения: буква Д — диоды, Т — транзисторы, В — варикапы, А — диоды для сверхвысоких частот, Ф — фотоприборы, И — туннельные диоды, С — стабилитроны и т. д. Третий элемент обозначения — цифра — конкретный тип прибора. Четвертый элемент обозначения — буква — разновидность приборов данного типа, имеющая некоторые отличия в параметрах.

Значение некоторых цифр в третьем элементе обозначения:

Для диодов:

от 101 до 399 — выпрямительные диоды

от 401 до 499 — универсальные диоды

Для фотоприборов:

от 101 до 199 — фотодиоды

от 201 до 299 — фототранзисторы

Для туннельных диодов:

от 101 до 199 — усилительные

от 201 до 299 — генераторные

Для стабилитронов:

мощность до 0,3 вт, напряжение стабилизации 0,1–9,9 в — от 101 до 199

мощность до 0,3 вт, напряжение стабилизации 10–99 в — от 201 до 299

мощность до 5 вт, напряжение стабилизации 0,1–9,9 в — от 401 до 499

Для транзисторов:

малая мощность (до 0,3 вт), низкочастотные (до 3 Мгц) — от 101 до 199

малая мощность, среднечастотные (до 30 Мгц) — от 201 до 299

малая мощность, высокочастотные (до 300 Мгц) — от 301 до 399

средняя мощность (до 1,5 вт), низкочастотные — от 401 до 499

средняя мощность, среднечастотные — от 501 до 599

средняя мощность, высокочастотные — от 601 до 699

большая мощность (больше 1,5 вт), низкочастотные — от 701 до 799

большая мощность, среднечастотные — от 801 до 899

большая мощность, высокочастотные — от 901 до 999

Пользуясь приведенными в таблицах 8 и 9 «сотнями», можно по названию определить принадлежность прибора к той или иной основной группе. О различиях приборов внутри группы говорит конкретная цифра в названии прибора и следующая за ней одна из первых букв алфавита (А, Б, В и т. д.).

В названии транзисторов могут встречаться и некоторые еще не знакомые нам буквенные обозначения, характеризующие те или иные конструктивные особенности прибора. Так, например, буква «Э» в конце названия означает, что корпус транзистора сделан из алюминия. Буквы «МП» в начале названия (вместо «П») говорят о том, что соединение верхней части корпуса («колпачка») с его нижней частью («диском») осуществляется методом холодной сварки под давлением.

Корпус транзисторов с обозначением «П» герметизируется менее совершенным способом — электроконтактной сваркой. Никаких отличий в параметрах транзисторов с обозначением «П» и «МП» не существует — транзистор МП41, например, полностью соответствует транзистору П41.

Данные некоторых типов транзисторов приведены в таблице 10. В этой таблице вы найдете предельно допустимые режимы (коллекторный ток I_к, напряжение U_эк между эмиттером и коллектором и мощность рассеивания на коллекторе Р_к), которые превышать нельзя. Напряжение на коллекторе указано в таблицах со знаками «+» или «—». Это еще одно напоминание о полярности напряжения и направлении токов в транзисторах с разной структурой (рис. 94).

Рис. 94.Транзисторы разной структуры питаются напряжениями различной полярности.