Оптимизация BIOS. Полный справочник по всем параметрам BIOS и их настройкам

При работе на обычном компьютере мы рекомендуем использовать задержку в 2 цикла, так как выбросы тока не имеют большого значения. Причина состоит в том, что обычный компьютер не ограничен в питании, и даже мощности обычного вентилятора должно хватить для того, чтобы устранить последствия повышения температуры, вызванного выбросами тока. Повышенная производительность при настройке более короткой задержки заслуживает отдельного внимания. Более короткая задержка приводит к тому, что активация банк-банк занимает на один цикл меньше. Это позволяет улучшить производительность устройства DDR при чтении и записи.

Обратите внимание: короткая задержка (2 цикла) работает с большинством устройств DDR DIMM, даже при частоте 133 МГц (266 МГц DDR). Но устройства DDR DIMM с частотой выше 133 МГц (266 МГц DDR) могут потребовать использования задержки 3 цикла. Если возможно, выбирайте значение 2 Cycles, чтобы обеспечить оптимальную производительность DDR DRAM. Переключайтесь на 3 цикла только в том случае, если у вас возникли проблемы с настройкой на 2 цикла.

В мобильных устройствах (например, ноутбуках) рекомендуем использовать задержку в 3 цикла. Это позволит ограничить выбросы тока, вызванные активацией строк. Благодаря этому энергопотребление и рабочая температура устройства DDR будут снижены, что особенно полезно для пользователей мобильных устройств.

SDRAM Write Recovery Time (Время восстановления при записи SDRAM)

Обычные опции: 1 Cycle, 2 Cycles, 3 Cycles.

Эта функция BIOS управляет параметром tWR (Write Recovery Time – Время восстановления при записи) для модулей памяти.

Данная опция указывает задержку (в циклах) между завершением операции записи и моментом, когда активный банк может быть обновлен. Задержка необходима для того, чтобы гарантировать запись данных из буферов записи в ячейки памяти до обновления.

Если задержка слишком мала, банк сможет обновиться до того, как активный банк сохранит записанные данные в ячейках памяти. В результате данные будут потеряны или повреждены.

Обратите внимание: эта функция BIOS не указывает, сколько времени требуется банку для обновления. Она только определяет, сколько времени требуется банку, чтобы начать обновление после завершения операции записи.

Чем меньше задержка, тем раньше банк может быть обновлен для другой операции чтения/записи (производительность повышается). Однако при этом увеличивается риск повреждения данных во время записи в ячейки памяти.

По умолчанию используется значение 2 Cycles (2 цикла), которое соответствует спецификациям JEDEC для модулей памяти DDR200 и DDR266. Модули памяти DDR333 и DDR400 работают с настройкой 3 Cycles (3 цикла).

Рекомендуем выбрать значение 2 Cycles, если вы пользуетесь модулями памяти DDR200 или DDR266, или значение 3 Cycles, если вы пользуетесь модулями памяти DDR333 или DDR400. Вы можете уменьшить задержку, а в случае возникновения проблем – восстановить предыдущее значение.

SDRAM Write to Read Command Delay (Задержка команды записи SDRAM)

Обычные опции: 1 Cycle, 2 Cycles.

Эта функция BIOS управляет параметром tWTR (Write Data In to Read Command Delay – Задержка команды при записи для чтения) для модулей памяти. Данная опция указывает минимальное количество циклов между последней операцией записи и следующей командой чтения для одного банка устройства DDR.

Обратите внимание: данная опция применяется только к тем командам чтения, которые следуют за операциями записи. Она не влияет на последующие операции чтения (как и на записи, следующие за операциями чтения).

Если вы выберите значение 1 Cycle (1 цикл), каждая команда чтения, следующая за операцией записи, будет задержана на один цикл.

Если вы выберите значение 2 Cycles (2 цикла), каждая команда чтения, следующая за операцией записи, будет задержана на два цикла.

Опция 1 Cycle обеспечивает более быстрое переключение от чтения к записи, что ведет к повышению производительности.

Опция 2 Cycles уменьшает производительность при чтении, но улучшает стабильность системы, особенно при высоких скоростях. Кроме того, данная функция позволяет чипам памяти работать еще быстрее. Другими словами, увеличение задержки приводит к тому, что вы сможете разогнать модуль памяти сильнее, чем это возможно в обычных условиях.

По умолчанию используется значение 2 Cycles, которое соответствует спецификациям JEDEC для модулей памяти DDR400. Модули памяти DDR266 и DDR333 работают с настройкой 1 Cycle.

Рекомендуем выбрать значение 1 Cycle, если вы пользуетесь модулями памяти DDR266 или DDR333. Вы можете использовать с модулями памяти DDR400 значение 1 Cycle, а в случае возникновения проблем – восстановить значение по умолчанию (2 Cycles).

Second Boot Device (Второе устройство загрузки)

Обычные опции: Floppy, LS/ZIP, HDD-0, SCSI, CDROM, HDD-1, HDD-2, HDD-3, LAN, Disabled.