Об американском следе в советской микроэлектронике

Визит был хорошо организован. Почти месяц продолжалась энергичная подготовка. И. Титова (дочь Г. Титова), вспоминает, что в санатории в Борвихе Г. Титов и А. Шокин неоднократно обсуждали ход подготовки визита. Накануне А. Шокин провёл в СКБ-2 генеральную репетицию со Старосом, который, как принимающий, должен был давать пояснения. И визит хорошо удался: ЭВМ и радиоприёмник произвели на главу страны нужное впечатление. Там же Н. Хрущёву был доложен и в целом одобрен проект постановления о создании ЦМ в Спутнике. После интенсивных согласований, 8 августа 1962 года Постановление ЦК КПСС и Совмина СССР было подписано. В этом, 2012 г. исполняется 50  лет отечественной микроэлектронике.

Как обычно в подобных случаях, это было концептуальное постановление, первое в череде за ним последовавших. В нем узаконивалось, что Центру микроэлектроники быть, что быть ему в Спутнике и что отныне проблема создания и развития отечественной микроэлектроники обрела характер национальной задачи.

Были определены самые общие положения концепции построения ЦМ, в том числе:

• определён комплексный характер ЦМ с организацией всех основных необходимых НИИ и опытных заводов для разработки и производства ИС;

• ЦМ придан статус головной организации по микроэлектронике в стране;

• определено локальное размещение ЦМ в Спутнике, где ЦМ становился градообразующей системой.

Определялись главные задачи ЦМ как головной организации в стране по микроэлектронике:

• обеспечение разработок и опытного производства ИС на мировом техническом уровне (догнать Америку) в интересах обороны страны и народного хозяйства;

• обеспечение перспективного научного задела;

• разработка принципов конструирования радиоэлектронной аппаратуры и ЭВМ на основе микроэлектроники, организация их производства, передача этого опыта соответствующим организациям страны;

• унификация ИС, условий их применения в аппаратуре на предприятиях страны;

• подготовка кадров, в том числе специалистов высшей квалификации".

Постановление определяло первоначальный состав предприятий ЦМ — пять новых НИИ с тремя опытными заводами: НИИ теоретических основ микроэлектроники, НИИ микросхемотехники, НИИ технологии микроэлектроники, НИИ машиностроения, НИИ специальных материалов. Позже эти названия были изменены.

Необходимо подчеркнуть, что создание ЦМ было не обособленной акцией, а частью масштабной программы построения новой подотрасли — микроэлектроники, инициатором и организатором которой был А. И. Шокин. В различных регионах страны: в Москве, Ленинграде, Киеве, Минске, Воронеже, Риге, Вильнюсе, Новосибирске, Баку и других местах – начиналось перепрофилирование имеющихся или создание новых НИИ с опытными заводами для разработки и серийных заводов с КБ для массового производства ИС, специальных материалов и специализированного технологического и контрольно-измерительного оборудования. ЦМ был всего лишь частью огромного айсберга, его вершиной.

      Проект Центра микроэлектроники

Идея ЦМ предусматривала образование разноплановых НИИ с опытными заводами для создания широкого спектра принципиально новой продукции: особочистых материалов, сверхточного технологического и контрольно-измерительного оборудования, ИС, радиоэлектронной аппаратуры, ЭВМ, а так же учебных заведений для подготовки кадров.

Из всего этого перечня к 1962 г. Ф. Старос и его коллектив имели самый первый опыт только в создании экспериментальных ЭВМ и в гибридной технологии. И все. Их познания в области микроэлектроники были из общедоступной литературы, с полупроводниками они были знакомы только как потребители. Таких знаний для разработки грамотного проекта какого-либо предприятия микроэлектроники, тем более столь разнопланового её Центра, явно недостаточно. Но посильное участие в работе они, безусловно, принимали.

Иное дело команда А. Шокина. С 1949 г., когда в НИИ-160 (НИИ "Исток", Фрязино) был создан первый в СССР транзистор, работы по полупроводниковой технике развивались стремительно. К 1962 г. этим занимались уже более десяти предприятий, номенклатура приборов составляла десятки типов, а объём выпуска измерялся миллионами. Министр и сам многократно бывал на различных предприятиях США, Великобритании, Франции, Голландии, и с 1959 г. направлял специалистов в США для стажировки и изучёния полупроводниковой промышленности, а в 1961 г. - планарной кремниевой технологии. Иными словами, в ГКЭТ уже сформировалась серьезная школа специалистов в области создания полупроводниковой техники и в смежных областях, имеющих серьезные теоретические и практические результаты и знакомых с зарубежным опытом. Лучшие из них были привлечены А. Шокиным к разработке проекта Центра микроэлектроники.

Из этого очевидно, что Ф. Старос и И. Берг не могли играть решающей роли в создании проекта зеленоградского ЦМ по трём причинам:

• не обладали необходимыми для этого знаниями и опытом;

• у них было совершенно иное понимание ЦМ (они бы делали проект суперBell);