В принципе любое государство и без всяких санкций имеет право в соответствии с так называемыми Вассенаарскими соглашениями по контролю над экспортом обычных вооружений и высоких технологий (товаров и технологий двойного применения), в которых Россия тоже принимает участие, отказать в поставках изделий, указанных в этих соглашениях. Для контроля над выполнением соглашений и своего экспортного законодательства в Соединенных Штатах создано специальное ведомство — Бюро промышленности и безопасности, которое содержит в посольстве США в России своего представителя — специального атташе по экспортному контролю. Но до последнего времени на многие нарушения экспортного контроля американские власти закрывали глаза. Например, были ограничения на вывоз в Россию процессоров некоторых типов, но их вывозили. Нельзя было поставлять герметичные компоненты, нельзя было поставлять радиационно стойкие компоненты, тем не менее они поставлялись в Россию и шли даже в специальную технику. Более того, спецтехника, не говоря уже о гражданской, практически полностью комплектовалась импортными электронными компонентами. На это не обращали внимания и в США, практически никак нас не ограничивая, и в России. Как заметил один из разработчиков микроэлектроники, «нам давали любые технологии, любые САПР, любые возможности, даже уговаривали покупать. То есть нам никто не мешал. Но мы практически ничего не сделали для собственного развития, особенно в области коммерческой электроники. И в этом уязвимость нашей нынешней позиции». К сожалению, в России недооценивали угрозы, которые могут возникнуть для нашей промышленности при ужесточении контроля со стороны американской администрации, хотя многие специалисты обращали на них внимание. По большому счету сейчас по отношению к многим экспортным позициям двойного назначения, к которым относится разного рода особо сложное и особо точное оборудование, например металлорежущие станки, электронное оборудование и электронные компоненты, не то чтобы ввели какие-то новые санкции, а просто стали строго выполнять действующие ограничения.
figure class="banner-right"
Чтобы понять, каковы наиболее уязвимые места нашей высокотехнологической промышленности, представим себе обобщенный процесс производства любого вида оборудования в виде пирамиды, на вершине которой его финишная сборка, а в основании — изготовление комплектующих деталей, которые распадаются на два класса: механические детали и электронные компоненты. Ясно, что наибольшую сложность представляет собой изготовление деталей и компонентов, требующее большого количества разнообразных станков и установок. Вот почему самыми критичными с точки зрения внешнего воздействия являются и сами узлы, и компоненты, например микросхемы, подшипники, станки и, главное, оборудование, необходимое для их изготовления. И чем сложнее и точнее машины, тем критичнее технологии. Источником же этого оборудования являются станкостроение и электронное машиностроение, которые обеспечивают технологическую независимость страны. В России, как отметил партнер Strategy Partners Group Артем Малков , эти отрасли, которые даже в советские времена были сформированы не до конца, находятся в числе наиболее сильно пострадавших за последние двадцать лет. Именно поэтому они являются предметом особого контроля со стороны экспортных ведомств Евросоюза и США (они не случайно включили ОАО «РТ-Станкоинструмент» в санкционный список) и предметом ограничений по Вассенаарским соглашениям и значительно более строгим американским экспортным правилам.
Встает вопрос: как смягчить проблемы, возникающие перед российской промышленностью и всей экономикой в результате воздействия санкций?
Вспомните об унификации
По мнению наших респондентов, проблемы замещения импортной микроэлектроники в изделиях спецназначения решить проще, чем другие, благодаря результатам, полученным на заводе «Микрон» в Зеленограде (ОАО «НИИ молекулярной электроники и завод “Микрон”«), где в 2012 году была запущена производственная линейка интегральных схем с проектными нормами 90 нм, а в 2013-м завершена разработка собственной технологии создания интегральных схем по топологии 65 нм.