Значение входного сигнала либо складывается с прямым смещением на эмиттерном переходе, либо вычитается из него. Это служит причиной изменения коллекторного тока, что, в свою очередь, приводит к изменению падения напряжения на резисторе RL. Выходной сигнал появляется между выводом выхода и землей.
Цепь, изображенная на рис. 28-6, является нестабильной, так как она не может компенсировать изменения тока смещения при отсутствии сигнала. Изменения температуры приводят к изменению внутреннего сопротивления транзистора, что заставляет изменяться ток смещения и сдвигает рабочую точку транзистора, уменьшая его усиление. Этот процесс называется температурной нестабильностью.
Существует возможность компенсации температурных изменений в схеме транзисторного усилителя посредством организации отрицательной обратной связи в нем. Если часть нежелательного выходного сигнала подать на вход цепи, этот сигнал будет противодействовать изменениям в транзисторе. Такой процесс называется отрицательной обратной связью (рис. 28-8).
Рис. 28-8.Усилитель с общим эмиттером и коллекторной обратной связью.
В цепи, использующей отрицательную обратную связь, базовый резистор RB соединен непосредственно с коллектором транзистора. Если температура увеличивается, то ток коллектора и падение напряжения на резисторе RL тоже увеличиваются. Напряжение коллектор-эмиттер уменьшается, уменьшая также напряжение приложенное, к RB. Это уменьшает ток базы, что служит причиной уменьшения тока коллектора. Таким образом действует коллекторная цепь обратной связи.
На рис. 28-9 показан другой тип обратной связи. Эта цепь похожа на цепь, изображенную на рис. 28-7, за исключением того, что последовательно с выводом эмиттера включен резистор RE. Резисторы RB и RE и переход транзистора эмиттер-база соединены последовательно с источником питания VCC.
Рис. 28-9. Усилитель с общим эмиттером и эмиттерной обратной связью.
Увеличение температуры служит причиной увеличения коллекторного тока. Ток эмиттера также увеличивается, увеличивая падение напряжения на резисторе RE и уменьшая падение напряжения на резисторе RB. Ток базы уменьшается, что уменьшает как ток коллектора, так и ток эмиттера. Поскольку сигнал обратной связи создается на эмиттере транзистора, эта цепь называется цепью эмиттерной обратной связи.
В цепи этого типа происходит уменьшение общего усиления цепи, связанное с тем, что входной сигнал переменного тока появляется как на резисторе RL, так и на резисторе RE и на транзисторе. При подсоединении конденсатора параллельно резистору RE (рис. 28–10), сигнал переменного тока обходит резистор RE, так как сопротивление конденсатора существенно меньше RE. Этот конденсатор часто называют блокировочным конденсатором.
Рис. 28–10.Эмиттерная обратная связь с блокировочным конденсатором.
Блокировочный конденсатор устраняет любые быстрые изменения напряжения на резисторе RE, благодаря тому, что он обладает низким импедансом для переменного тока. Блокировочный конденсатор удерживает напряжение на резисторе RE неизменным, в то же самое время не мешая работе цепи обратной связи, обеспечиваемой RE.
Цепь обратной связи с делителем напряжения обеспечивает большую стабильность транзистора (рис. 28–11). Эта цепь используется наиболее широко. Резистор RB заменяется двумя резисторами, R1 и R2. Эти соединенные последовательно резисторы подключены параллельно источнику питания VСС. Резисторы делят напряжение питания на два напряжения, образуя делитель напряжения.
Рис. 28–11.Усилитель с общим эмиттером и обратной связью на основе делителя напряжения.
На резисторе R2 падает меньшее напряжение, чем на резисторе R1. Напряжение на базе по отношению к земле равно падению напряжения на резисторе R2. Цель делителя напряжения — установить постоянное напряжение на базе транзистора по отношению к земле. Ток, текущий через резистор R2, направлен к базе. Следовательно, подсоединенный к базе конец резистора R2, имеет положительный потенциал по отношению к земле.
Так как через резистор RE течет ток эмиттера, то на конце резистора RE, подсоединенном к эмиттеру, положительный потенциал по отношению к земле. Напряжение на переходе эмиттер-база является разностью двух положительных напряжений — напряжения на резисторе R2 и напряжения на резисторе RE. Для того, чтобы на транзисторе имело место правильно приложенное прямое смещение, положительный потенциал базы должен быть немного выше положительного потенциала эмиттера.