Посвящение в радиоэлектронику

Но что можно испускать в полупроводнике? Разумеется, носители заряда — электроны или дырки. Следовательно, на эмиттерный переход надо подать отпирающий потенциал, тогда через этот переход пойдет ток и возникнет движение зарядов. Вот схема включения полупроводникового триода, или транзистора. Транзистор здесь уже изображен так, как его обычно указывают на принципиальных схемах электронных устройств. База (Б) обозначена черточкой, эмиттер (Э) — стрелкой, а коллектор (К) просто наклонной линией, подходящей к базе. Стрелка эмиттера показывает направление тока через эмиттерный переход. Этот ток создается батареей G1. А чтобы он не достигал очень больших значений, ведь сопротивление открытого р-n перехода весьма мало, включен ограничивающий ток резистор R_э. Итак, из эмиттера в толщу полупроводника (хотя какая там толща — толщина базы современных транзисторов измеряется микрометрами!) направляется поток электронов. Все было бы хорошо, если бы электроны, собравшиеся было осесть на базе, не попадали в сильное электрическое поле коллектора, который находится очень близко от эмиттера. На коллектор от батареи G2 подано сравнительно большое напряжение (несколько вольт или даже десятков вольт). Оно приложено в направлении, обратном для коллекторного р-n перехода, поэтому собственного тока через коллекторный переход практически нет. Но есть эмиттерный ток, и электроны, попадая в поле коллектора, направляются к нему и создают ток в коллекторной цепи. У современных транзисторов коллектор «перехватывает» более 99 % всех электронов, излучаемых эмиттером.

Следовательно, «коэффициент перехвата», равный отношению коллекторного тока к эмиттерному, h_21б = 0,99 или даже больше. Он называется коэффициентом передачи тока в схеме с общей базой или коэффициентом передачи тока эмиттера. Действительно, в данной схеме включения базовый электрод является общим и для эмиттерной, и для коллекторной цепей. В саму же базу попадает всего 1 — h_21б т. е. менее 1 % тока эмиттера. Но вот что важно: и коллекторный, и базовый токи прямо пропорциональны току эмиттера, и если последний прекратится, то прекратится и коллекторный ток. Значит, эмиттерный ток управляет коллекторным! Но где же усиление? В этой схеме усиления по току действительно нет. Тем не менее можно получить усиление по напряжению и по мощности, если в цепь коллектора включить не измерительный прибор (миллиамперметр), как показано на рисунке, а резистор нагрузки с достаточно большим сопротивлением. Тогда изменения коллекторного тока вызовут изменения падения напряжения на нагрузке тем большие, чем больше ее сопротивление.

Включение транзистора по схеме с общей базой.

Но существует и другая, наиболее распространенная схема включения транзистора — с общим эмиттером. Здесь отпирающее напряжение подается на базу. Переход база — эмиттер, как и прежде, отпирается, и эмиттер испускает носители заряда — электроны. Если обозначить ток эмиттера i_э то ток базы составит (1 — h_21б)/i_э, а ток коллектора — h_21б)·i_э.

Включение по схеме с общим эмиттером.

Найдем отношение тока коллектора к току базы: i_k/i_б = h_21б(1 — h_21б). Его значение около 100. Оно называется коэффициентом передачи тока в схеме с общим эмиттером h_21э или коэффициентом передачи тока базы. Ток коллектора непосредственно зависит от тока базы: чем больше i_б, тем больше и i_k. Тут опять происходит управление большим током коллектора с помощью малого тока базы. Если в цепь базы включить источник сигнала, то такой же сигнал, но уже значительно усиленный, выделится и на резисторе нагрузки R_н в коллекторной цепи. Именно так и устроены простейшие транзисторные усилители сигналов. Никаких накаленных катодов, никаких баллонов, откачанных до глубокого вакуума — транзистор представляет собой крошечный элемент с тремя проволочками-выводами. И напряжения питания требуются небольшие — всего несколько вольт. По массе, габаритным размерам и потребляемой мощности транзистор не идет ни в какое сравнение со своей предшественницей — электронной лампой.