Оптимизация BIOS. Полный справочник по всем параметрам BIOS и их настройкам

Если вы используете шину CPU 200 МГц (800 МГц DDR):

• и коэффициент 3:2, контроллер DRAM работает с частотой 133 МГц (или 266 МГц DDR);

• и коэффициент 5:4, контроллер DRAM работает с частотой 160 МГц (или 320 МГц DDR);

• и коэффициент 1:1, контроллер DRAM работает с частотой 200 МГц (или 400 МГц DDR);

• и коэффициент 4:5, контроллер DRAM работает с частотой 250 МГц (или 500 МГц DDR);

• и коэффициент 3:4, контроллер DRAM работает с частотой 266 МГц (или 533 МГц DDR).

По умолчанию эта функция настраивается на By SPD. Это позволяет системе запрашивать чип SPD для каждого модуля памяти и использовать соответствующий коэффициент.

Рекомендуем выбрать коэффициент, который позволяет максимально эффективно использовать возможности ваших модулей памяти. Помните, что коэффициент 1:1 тоже является рекомендованной установкой, так как он обеспечивает высокую скорость передачи данных.

DRAM Ratio H/W Strap (Коэффициент DRAM H/W Strap)

Обычные опции: High, Low, By CPU.

Эта функция BIOS позволяет обойти ограничение коэффициента CPU-DRAM, которое задается в новых сериях процессоров Intel i845. Для этих серий компания Intel ввела ограничение доступных коэффициентов CPU-DRAM.

Если вы установили процессор с шиной 400 МГц, выбор коэффициентов CPU-DRAM ограничивается 1:1 и 3:4.

Если вы установили процессор с шиной 533 МГц, выбор коэффициентов CPU-DRAM ограничивается 1:1 и 4:5.

Как видите, вы теряете гибкость при выборе коэффициента CPU-DRAM для вашей системы. К счастью, данная функция BIOS позволяет вам обойти это ограничение.

Функция DRAM Ratio H/W Strap управляет настройкой внешнего устройства, привязанного к MCH (Memory Controller Hub – Концентратору контроллера памяти) материнской платы. Изменив значение на High или Low, вы можете заставить плату «думать», что вы используете шину 400 МГц или 533 МГц.

Если вы настроите данную опцию на High, то получите доступ к коэффициентам CPU-DRAM 1:1 и 4:5.

Если вы настроите данную опцию на Low, то получите доступ к коэффициентам CPU-DRAM 1:1 и 3:4.

По умолчанию эта опция настраивается на By CPU, то есть внешние устройства будут работать с параметрами той шины, которая установлена в вашей системе.

Как правило, вам не понадобится изменять настройку вручную. Если вам необходим доступ к коэффициенту CPU-DRAM, который для вас недоступен, эта функция будет очень полезна.

DRAM Read Latch Delay (Задержка при чтении DRAM)

Обычные опции: Auto, No Delay, 0.5ns, 1.0ns, 1.5ns.

Эта функция является аналогом функции Delay DRAM Read Latch. Она настраивает параметры таймера DRAM в соответствии со степенью нагрузки DRAM.

Нагрузка DRAM изменяется в зависимости от количества, а также типа установленных модулей памяти. По мере увеличения количества модулей нагрузка DRAM увеличивается. Также она увеличивается, если вы устанавливаете двойные модули вместо обычных. В общем, чем больше устройств DRAM вы используете, тем больше нагрузка на DRAM. Поэтому один модуль DRAM создает минимальную нагрузку на DRAM.

При высокой нагрузке DRAM, возможно, придется отложить момент обращения контроллера памяти к DRAM при считывании. В противном случае, контроллер памяти может совершить ошибку при обращении к устройству DRAM и не получить нужную информацию.

Опция Auto позволяет BIOS выбирать оптимальную задержку из значений, заданных производителем.

Опция No Delay (Без задержки) заставляет контроллер памяти обращаться к устройству DRAM без задержки, даже если установки BIOS показывают, что задержка необходима.

Другие опции (0.5ns, 1.0ns и 1.5ns) позволяют задать задержку при чтении вручную.

Обычно следует разрешить BIOS выбирать задержку самостоятельно (опция Auto). Если вы заметили, что после установки дополнительных модулей памяти ваша система работает нестабильно, попробуйте настроить задержку вручную.

Чем больше задержка, тем ниже производительность модулей памяти при чтении. Но стабильность работы модулей памяти не повышается при увеличении задержки. Помните, что предназначение данной функции заключается в том, чтобы позволить контроллеру памяти обратиться к устройству DRAM без задержки при любой нагрузке DRAM.

Задержка должна быть ровно такой, чтобы позволить контроллеру памяти обратиться к устройству DRAM. Не нужно увеличивать задержу без особой необходимости. Это не позволит повысить стабильность системы. Наоборот, вы можете снизить производительность! Начните со значения 0.5ns и экспериментируйте, пока система не стабилизируется.