Оптимизация BIOS. Полный справочник по всем параметрам BIOS и их настройкам

Теоретически, таким образом можно уменьшить EMI и не подвергать систему риску. Это позволит системе снизить потребление электроэнергии, так как питание потребляется только работающими компонентами.

Выбор настройки для этой функции полностью зависит от ваших предпочтений. Рекомендуем включить данную опцию, чтобы сэкономить электроэнергию и уменьшить EMI.

DRAM Act to PreChrg CMD

Обычные опции: 5T, 6T, 7T, 8T, 9T.

При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS (Row Address Strobe – Импульс адреса строки). Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS (Column Address Strobe – Импульс адреса столбца). Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек.

Однако при считывании данных из другой строки активная строка должна быть деактивирована. Строка не может быть деактивирована до тех пор, пока время tRAS не закончится.

Задержка модуля памяти отражается в соответствующих спецификациях. Для JEDEC это последняя цифра в последовательности из четырех цифр. Например, если ваш модуль памяти имеет спецификацию 2-3-4-7, задержка tRAS для него будет равна 7 циклам.

Как и функция SDRAM Tras Timing Value, эта функция BIOS управляет минимальным временем активации банка памяти (tRAS). Под минимальным временем активации подразумевается временной интервал между активацией строки и моментом, когда эта строка может быть деактивирована. Отсюда и возникло название опции DRAM Act to PreChrg CMD, которое является сокращением от DRAM Activate Command to Precharge Command (Команда между активацией DRAM и обновлением).

Если период tRAS слишком велик, это может привести к снижению производительности, так как деактивация активных строк задерживается. При уменьшении периода tRAS активная строка будет деактивирована быстрее.

Однако если период tRAS слишком короткий, времени для завершения операции может быть недостаточно. Это снижает производительность системы и может вызвать потерю или повреждение данных.

Чтобы получить оптимальную производительность, используйте минимальное значение. Как правило, оно равно: CAS Latency (Время ожидания CAS) + tRCD + 2 цикла таймера. Например, если вы настроили CAS Latency на 2 цикла, а tRCD на 3 цикла, вы получаете значение, равное 7 циклам.

Если ваша система будет сообщать об ошибках или зависать, увеличьте значение tRAS на один цикл, чтобы стабилизировать работу.

DRAM Burst Length 8QW (Продолжительность записи 8QW для DRAM)

Обычные опции: Enabled, Disabled.

Блоковые операции (burst transactions) повышают производительность SDRAM, так как данные читаются и записываются блоками с использованием только одного адреса столбца.

В такой операции только при первой передаче данных для чтения или записи учитывается начальная задержка, необходимая для активации столбца. Последующие операции в последовательности выполняются без задержки. Это позволяет намного быстрее считывать и записывать блоки данных.

Например, блоковая операция из четырех записей может включать задержки: 4-1-1-1. На выполнение четырех записей операции понадобится семь циклов.

Если же четыре записи не объединены в блоковую операцию, задержки будут стандартными: 4-4-4-4. На выполнение четырех записей операции понадобится 16 циклов, то есть на 9 циклов больше (или в два раза медленнее).

Функция BIOS DRAM Burst Length 8QW позволяет управлять продолжительностью операции записи.

Если вы выключите данную опцию, операция записи будет ограничена четырьмя QW.

Если вы включите данную опцию, операция записи будет ограничена восемью QW.

Так как начальное ожидание CAS фиксировано для каждой операции, увеличение время записи позволяет записать или считать больше данных с меньшей задержкой. Поэтому запись длиной 8 выполняется быстрее, чем запись длиной 4.

Например, если контроллер памяти записывает в память блок данных продолжительностью в восемь единиц, эту задачу он может решить с использованием одной блоковой операции в восемь единиц или с использованием двух стандартных операций в четыре единицы каждая. Для блоковой операции будут действовать задержки: 4-1-1-1-1-1-1-1, то есть на всю операцию потребуется 11 циклов.

Для двух стандартных операций будут действовать задержки: 4-1-1-1-4-1-1-1. Это значит, что для завершения двух операций понадобится 14 циклов. Как видите, это медленнее, чем при использовании блоковой операции.

Рекомендуем включить данную опцию BIOS, чтобы улучшить производительность системы.

DRAM Data Integrity Mode (Режим целостности данных DRAM)

Обычные опции: ECC, Non-ECC.

Эта функция BIOS управляет настройкой ECC для контроллера памяти.