Компьютерра PDA 17.04.2010-23.04.2010

Всё это чисто американские наработки. Наша ivi.ru пытается использовать схему Hulu. Мое личное мнение - ни один из подходов (кроме классического проката, который будет отживать и дальше, и кабельного VOD) никогда не приживется в нашей цивилизации. Но мне бы хотелось выслушать и контраргументы. Если успеете изложить мысли сегодня, успею всё продумать и, по необходимости, отобразить в статье в полемическом плане.

Вечерний апдейт того же дня: 18:30 - позвонили из Азбуки Морзе: "Ваш телефон отремонтирован - можно забирать". Итак, что мы имеем в сухом остатке: Samsung AMOLED WiTu i8000 сдан в ремонт без уверенности в результате в понедельник 15:30, ремонт выполнен (замена тачскрина) - в среду 18:30. Кто-нибудь из читателей знает координаты книги рекордов Гиннесса? :)

Халькогенидная память - наше ближайшее будущее?

Автор: Юрий Ревич

Опубликовано 21 апреля 2010 года

В далёком 1923 году в семье польско-литовских эмигрантов Овшинских (Ovshinsky), обосновавшихся в городке Акрон, штат Огайо (США), родился мальчик, которого назвали Станиславом, но зарегистрировали под англизированной формой того же имени – Стэнфорд. Через полвека с лишним изобретателя-самоучку Стэна Овшинского, так и не получившего систематического образования, начнут называть "новым Эдисоном" и "Эйнштейном альтернативной энергетики".

В действительности Овшинский не отличился таким разнообразием интересов, как изобретатель фонографа, но в число его главных изобретений входят тонкоплёночные солнечные элементы, никельметаллгидридные (NiMH) аккумуляторы и батареи на твердом водородном топливе для транспорта. Но самое главное изобретение Овшинского, сделанное им ещё в начале 1960-х, и отмеченное знаменитым Гордоном Муром специальной статьей в Electronics в сентябре 1970 года, начинает внедряться в практику только сейчас. Зато – ускоренными темпами.

Речь идёт об устройствах памяти на основе фазового перехода в халькогенидных соединениях. Их называли по-разному: PCM (Phase Change Memory), CRAM (Chalcogenide Random Access Memory), OUM (Ovonic Unified Memory), но лучше других прижилась аббревиатура PRAM (формально - Phase-change Random Access Memory или "память с произвольным доступом на основе фазового перехода", неформально - Perfect RAM или "совершенная память с произвольным доступом").

Халькогениды - это соединения элементов шестой группы таблицы Менделеева (кислород, сера, селен, теллур, полоний) с более электроположительными элементами, например, с металлами. То есть, формально говоря, любой оксид (например, песок, двуокись кремния) – тоже халькогенид, но на практике это название чаще применяют лишь к соединениям с серой, селеном и теллуром (сульфиды, селениды, теллуриды).

Лучшая память на свете

Овшинский обнаружил, что такие материалы, как, например, сурьмид германия GeSb, способны резко менять физические свойства в зависимости от фазового состояния – аморфного или кристаллического. Если вещество нагреть выше температуры плавления и быстро остудить, оно переходит в аморфное состояние (стеклоподобное). Если его охлаждать медленно (специально немного подогревая ниже точки плавления), оно успевает закристаллизоваться. Да-да, именно этот эффект уже давно используется в перезаписываемых дисках CD-RW или DVD-RW, где отдельные участки-питы из довольно сложных по составу халькогенидных соединений (серебро-индий-сурьма-теллур либо германий-сурьма-теллур, GST) меняют в зависимости от режима нагрева-охлаждения свою прозрачность или коэффициент преломления. В PRAM, где применяются соединения типа GST (Ge₂ Sb₂Te₅), используется другая величина – удельное электрическое сопротивление. Копейки там ловить не приходится: в аморфном состоянии сопротивление GST примерно на два-три порядка выше, чем в кристаллическом.

Микросхема PRAM фирмы BAE System может изгибаться без потери работоспособности.

Одно из важнейших преимуществ PRAM - в том, что будучи энергонезависимой, такая память обладает плотностью упаковки и, главное, быстродействием, близким к обычной динамической DRAM. Samsung озвучивала цифры тридцатикратного превышения производительности PRAM в сравнении с обычной flash-памятью. IBM с партнерами ещё в 2006 году говорила даже о пятисоткратном превышении (при вдвое меньшем потреблении электроэнергии), но отнесла возможность производства такой памяти на 2015 год. Для реальных девайсов напрямую сопоставить цифры трудно, поскольку многое зависит от структуры и режима конкретного устройства, но для ориентировки можно указать, что у выпускающихся фирмой BAE System (см. далее) чипов халькогенидной статической памяти (SRAM) чтение и запись занимают одинаковое время порядка 15-17 нс (25 нс гарантировано во всём диапазоне питания), что в среднем всего вдвое хуже, чем у распространенных типов SDRAM.