Если пропустить через участок база-эмиттер слабый ток, он будет усилен транзистором в десятки и даже сотни раз и потечет через участок коллектор-эмиттер. В зависимости от тока, который можно пропускать через коллектор, транзисторы бывают маломощные, средней и большой мощности. Кроме того, эти полупроводниковые приборы могут быть структуры p-n-р или n-p-n. Так различаются транзисторы с разным дежурством пластов полупроводниковых материалов (если в диоде два пласта материалов, то здесь их три).
Однако совсем не обязательно транзисторы разной структуры должны иметь разное усиление. Усилительная способность транзистора определяется его так называемым статическим коэффициентом передачи тока. Для некоторых конструкций этот коэффициент важен, и его указывают в описании.
В некоторых самоделках встречается еще одна разновидность транзистора — полевой. У него также три вывода, но называют их по-другому: затвор (как база), исток (эмиттер), сток (коллектор). Подбирать эти транзисторы по усилительной способности не придется, а вот проверять их надо. Чтобы во время подключения того или другого транзистора к деталям самоделки не перепутать выводы, нужно четко знать их расположение — цоколевку, или распиновку. Ее можно посмотреть в различных радиолюбительских справочниках.
Эти полупроводниковые приборы имеют два вывода:
Этот прибор часто используют в блоках питания. Зачастую он похож на диод, поэтому мы покажем внешний вид диода (рис. 1.11).
Рис. 1.11.
У диода также два вывода:
Совокупность нескольких диодов — диодный мост (рис. 1.12).
Рис. 1.12.
Разновидностей диодов существует достаточно много (рис. 1.13).
Рис. 1.13.
Самый используемый в любых конструкциях — полупроводниковый. Существуют также выпрямительные диоды, предназначенные для преобразования переменного тока в постоянный. Бывают универсальные и импульсные диоды, применяющиеся в импульсных режимах работы. Они имеют малую длительность переходных процессов включения и выключения. Туннельные диоды используются в усилителях, переключающих устройствах на частотах до сотен и тысяч мегагерц. Обращенные диоды сделаны на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении.
Существует и масса других элементов этой категории. Они используются не так часто, как перечисленные выше, но упомянуть о них стоит.